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存储芯片市集正处于快速发展阶段，受到数字化转型和云推断需求的鼓舞。迁移开辟、物联网、东谈主工智能等新兴诈欺对存储芯片的需求络续增长，运转了市集的闹热发展。同期，5G集结的普及和大规模数据中心的建树也为存储芯片市集带来了新的增长机遇。跟着存储时期的络续编削和本钱的络续下落，存储芯片市集的规模和竞争日益热烈。

9月13日，韩国科学时期信息通讯部公布的数据浮现，本年8月份韩国信息和通讯时期 (ICT) 居品出口联结第10个月增长，其中半导体、手机出口增长刚劲。

从居品类别来看，韩国8月芯片出口金额同比增长37.6%，达到119亿好意思元，联结10个月竣事两位数增长，这收货于东谈主工智能市集增长和IT开辟市集复苏激勉的大家芯片需求刚劲。尤其是跟着DRAM平均季度价钱捏续上升，以及高带宽内存芯片等高价值居品的需求扩大，存储芯片出口金额同比暴涨71.7%，达到73亿好意思元。

从韩国芯片出口数据的超预期增长反应出，大家半导体市集的需求仍较为刚劲。分析机构觉得，存储芯片在智高手机、干事器、PC等规模的诈欺需求捏续增长。东谈主工智能时期的迅猛发展，尤其是AI干事器的市集需求大幅增长，为存储芯片行业带来了新的增长点。

回看存储芯片行业发展情况：

——大家存储芯片市集规模

NAND FLASH市集方面，2021年大家NAND闪存芯片销售额达669亿好意思元，同比增长18.20%。伴跟着消耗电子需求冷却，2022年销售额达到587亿好意思元，同比下落12.26%。

DRAM市集方面，2016-2022年，大家DRAM市集规模波动变化，2021年销售额达940亿好意思元，同比增长39.47%。伴跟着消耗电子需求冷却，2022年销售额达到797亿好意思元，同比下落15.21%。

——大家存储芯片发展趋势

3D化是刻下NAND闪存引颈发展的主要趋势，各NAND闪存大厂王人在3D堆叠上加大研发力度，尽可能擢升闪存的存储密度。

与NAND闪存不同，因为DRAM相比难堆叠芯片层数，是以制造商大多只不错减少电路间距的边幅，提高性能效果。拉近电路距离的平正包含提高信号处治速率、裁汰责任电压，以及加多每个硅片的DRAM产量。这亦然各大制造商张开纳米竞争的缘由。

瞻望后市，分析东谈主士指出，存储芯片市集被视为半导体产业“风向标”，在AI算力需求的刺激下，HBM(高带宽内存)存储器市集有望进一步竣事高速增长万博的官网地址是什么，其他存储器如NAND Flash、镶嵌式存储则增速较为疲塌。